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Flash Memory信号完整性测试

Flash Memory信号完整性测试

定义

Flash Memory(闪存)是一种非易失性存储器(断电后数据不丢失),通过电子方式擦除和编程数据,广泛应用于U盘、SSD固态硬盘、手机存储、SD卡等设备中。

Flash Memory应用:

消费电子(手机、相机存储)

数据中心(全闪存阵列替代传统硬盘)

物联网设备(低功耗需求)。

关键特性:
相对于易失性数据存储设备的优势(断电数据保留)。

应用范围:
针对板内芯片到芯片的信号测试(强调信号传输的场景)。

主要检测项目

Input HIGH & LOW voltage

定义:测量输入信号的高低电压水平。

CLK Period

定义:检测时钟信号周期的时间参数。

Rise & fall time

定义:测量信号上升和下降沿的时间。

Input set-up time

定义:检测输入信号建立所需时间。

Input Hold time

定义:检测输入信号保持所需时间。

 

参考标准

芯片规格书(提供测试依据)。

协会标准(如:Embedded Multi-Media Card (e•MMC) Electrical Standard (5.1))。

 

优尔鸿信检测服务优势

设备软件齐全:实验室配备完整工具套件。

服务产品范围广泛:覆盖多种设备类型。

定制化测试计划:根据客户样品提供个性化测试方案。

经验丰富,可协助整改:提供技术支持,帮助优化设计。

实验室设施支持:整改工具包括烙铁、热风枪、加热台等常用工具(需客户自备零件)。



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